Silicon Power SP032GBSTHBU1V10-SP [32GB] 価格比較

地図データを古いｘｐのポータブルマシンにいれて使用するめ昨日購入してみました、 小さなファイルが大量にあるためNTFSの５１２B/セクタでフォーマットしフォルダごとコピーを行った結果、4時間かけて２GB書き込んだ時点で最後に作成された2つのフォルダがアクセス不能、3つ前のフォルダは中のファイルが半分ほどアクセス不能になった。 最後に書き込んだ領域から消えているので連続書き込みを行い高温にると書き込みが不完全になるのでしょう。 ファイルシステムやメモリーの構造からすると実際にセルに書き込まれた量はデータサイズの１００倍くらいあるかな。 ＶＨＤなど単一ファイルして運用してやれば3０ＧＢ1時間で書き込み完了するだろうが、あまり持たないでしょうね。 フォーマットしなおしてCheckFlashにて診断しても特に問題なし。 ベンチマークテスト結果はレビューよりずいぶん遅い。 このメーカはUSBメモリでもあったが最初はMLC、TLCのものを同一型名で販売しており、こちらはTCLでしょうね。 以前購入したTLCのUSBメモリーは同様の使い方で書き込みはできたが半年しかデータが持たなかった。 チップ表面温度が上がりきらないように短いスパンで冷却インターバルを設けて書き込まないといけないのかな。 半導体チップの表面温度をモニタする機能があればいいのだが、どのくらいの割合にするか試行錯誤してみるしかないですね。 ----------------------------------------------------------------------- CrystalDiskMark 5.2.0 x64 (C) 2007-2016 hiyohiyo Crystal Dew World : http://crystalmark.info/ ----------------------------------------------------------------------- * MB/s = 1,000,000 bytes/s [SATA/600 = 600,000,000 bytes/s] * KB = 1000 bytes, KiB = 1024 bytes Sequential Read (Q= 32,T= 1) : 54.998 MB/s Sequential Write (Q= 32,T= 1) : 6.894 MB/s Random Read 4KiB (Q= 32,T= 1) : 2.522 MB/s [ 615.7 IOPS] Random Write 4KiB (Q= 32,T= 1) : 0.398 MB/s [ 97.2 IOPS] Sequential Read (T= 1) : 54.944 MB/s Sequential Write (T= 1) : 9.228 MB/s Random Read 4KiB (Q= 1,T= 1) : 2.307 MB/s [ 563.2 IOPS] Random Write 4KiB (Q= 1,T= 1) : 0.430 MB/s [ 105.0 IOPS] Test : 50 MiB [G: 0.0% (0.0/28.9 GiB)] (x1) [Interval=5 sec] Date : 2016/12/19 12:24:59 OS : Windows 7 Professional SP1 [6.1 Build 7601] (x64)

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