サムスン
860 EVO MZ-76E250B/IT
メーカー希望小売価格：-円
2018年2月上旬 発売
スペック・仕様
すべてのスペック・仕様を見る- 容量
- 250 GB
- 規格サイズ
- 2.5インチ
- インターフェイス
- Serial ATA 6Gb/s
- フラッシュメモリタイプ
- V-NAND 3bit MLC
- 読込速度
- 550 MB/s
- 書込速度
- 520 MB/s
- メーカー公式情報
- メーカートップページ メーカー製品情報ページ メーカー仕様表
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860 EVO MZ-76E250B/IT のレビュー・評価
(13件)
満足度
4.41集計対象13件 / 総投稿数13件
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561%
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415%
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323%
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20%
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10%
プロレビュー・モニターレビューは集計対象から除外しています
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3年間位使わないと耐久性の評価はできません。読込速度、書込速度、消費電力については詳しくないのでですが、少し遅いと感じます。特に書込速度。他の製品を使ったことがないので、比較することが出来ませんでした。
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知人から７年前に購入したデスクトップPC（Win7版）のアップグレード化を相談され、Win10化と同時にOS部のSSD化のために購入。 問題なくアップグレードでき、起動／終了時間が飛躍的に短縮できたとの評価を頂いた。５年間保証も付いており安心。
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【読込速度】もともとPCに内蔵されているSSDと同様にVRゲームや3Dアクションゲーム用のストレージとして使っています。体感において内臓ストレージと比べて速度に差を感じません。十分な速度だと思います。 【書込速度】読み込み速度と同様の感想です。 【消費電力】確認方法を知らないので無評価としました。 【耐久性】まだ購入して1年未満なので無評価としました。 【総評】HPのゲーミングPCであるOMEN by HP 880-100jpを使っています。もともとPCに内蔵されている512GBのSSDでは足りなくなったので増設用に購入しました。Amazonで売っていた3.5インチサイズへと換装するホルダーを使うことで問題なく増設して使用できています。本評価は私の体感によるもので、特にベンチマークを行って客観的に調べたものではありません。客観的根拠に基づいた評価ではないと思ったので、私自身は性能に満足していますが☆3として高評価を付け過ぎないようにしました。ご了承ください。
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860 EVO MZ-76E250B/IT のクチコミ
（91件/14スレッド）
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お試しあれ。M.2に負けないくらいの速度になりました。
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Cドライブとして使用している製品が書き込み約300MB/s(画像1)と以前に比べて200MB/s程度遅くなりました。 Dドライブに使用している500GBの製品は以前と変わりないです。(画像2) 以前ケーブルが原因でSATA2の認識になり今回も変えてみたところ変わりはありませんでした。 書き込み速度はこれほど遅くなるものでしょうか？
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こちらの機種、初期型PS3に換装可能でしょうか？
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860 EVO MZ-76E250B/IT のスペック・仕様
- 容量250GBのSATA 3.0（6Gbps）対応2.5インチSSD｡
- 「インテリジェントターボライトテクノロジー」により連続書き込み最大520MB/秒､連続読み込み550MB/秒まで高速化を実現｡
- ｢Samsung V-NAND｣テクノロジーによって耐久性が向上している。
| スペック | |
|---|---|
| 容量 | 250 GB |
| 規格サイズ
規格サイズ 1.8インチ モバイルパソコンを中心に採用されている規格。一般ユーザーがSSDを換装するには難しいことから、種類が多くありません。 2.5インチ 一般的なノートパソコンで採用されている規格。ラインアップも豊富に揃っているほか、デスクトップパソコンの3.5インチベイに設置できるよう、専用マウンタが付属されている製品もあります。 mSATA SSDを接続するSerial ATA規格の小型版で、モバイルノートパソコンなどに採用。製品数は多くありません。 M.2 (Type2242) 2014年に登場した最大10Gbpsで通信できる接続規格で、42（幅）×22（奥行）mmのものです M.2 (Type2260) 2014年に登場した最大10Gbpsで通信できる接続規格で、60（幅）×22（奥行）mmのものです。 M.2 (Type2280) 2014年に登場した最大10Gbpsで通信できる接続規格で、80（幅）×22（奥行）mmのもので、製品数が多いものです。 |
2.5インチ |
| フラッシュメモリタイプ
フラッシュメモリタイプ SLC 1つの記憶素子(メモリーセル)に1ビットずつデータが記録される方式。MLCに比べて高速で耐久性が高いが、価格も高くなる傾向にある。Single Level Cellの略。 MLC 1つの記憶素子(メモリーセル)に複数ビットのデータが記録される方式。SLCに比べて容量当たりの単価が安いため、製品としてデータ容量が大きめとなる傾向にある。Multi Level Cellの略。 TLC 1つの記録素子に3ビットのデータを書き込むタイプ。ほかのタイプと比べて信頼性や速度が落ちますが、価格が手ごろなのが魅力です。 |
V-NAND 3bit MLC |
| タイプ | 内蔵 |
| 厚さ | 6.8 mm |
| 1GBあたりの価格 | - |
| パフォーマンス | |
|---|---|
| 読込速度 | 550 MB/s |
| 書込速度 | 520 MB/s |
| ランダム読込速度 | 4KBランダム(QD1)読み出し：10,000 IOPS 4KBランダム(QD32)読み出し：98,000 IOPS |
| ランダム書込速度 | 4KBランダム(QD1)書き込み：42,000 IOPS 4KBランダム(QD32)書き込み：90,000 IOPS |
| 耐久性 | |
|---|---|
| MTBF(平均故障間隔)
MTBF(平均故障間隔) MTBF(平均故障間隔) 故障するまでの時間の平均値。故障する頻度・時間の目安として使用される。 |
150万時間 |
| TBW | 150 TBW |
| DWPD | 0.32 |
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