インターフェイス:PCI-Express Gen3 サムスン(SAMSUNG)のSSD 人気売れ筋ランキング

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インターフェイス:PCI-Express Gen3 サムスン
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容量 1GBあたりの価格 フラッシュメモリタイプ  規格サイズ  インターフェイス TBW
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サムスン　970 EVO Plus MZ-V7S1T0B/IT お気に入り登録315970 EVO Plus MZ-V7S1T0B/ITのスペックをもっと見る
970 EVO Plus MZ-V7S1T0B/IT 438位 4.17
(14件)		 116件 2019/1/23  1000GB ¥42 V-NAND 3bit MLC M.2 (Type2280)   600TBW
【スペック】
タイプ：内蔵　NVMe：○　厚さ：2.38mm　読込速度：3500MB/s　書込速度：3300MB/s　ランダム読込速度：4KBランダム(QD1)読み出し：19,000 IOPS、4KBランダム(QD32)読み出し：600,000 IOPS　ランダム書込速度：4KBランダム(QD1)書き込み：60,000 IOPS、4KBランダム(QD32)書き込み：550,000 IOPS　MTBF(平均故障間隔)：150万時間　DWPD：0.3　
【特長】
  • 容量1TB、PCIe Gen 3.0×4、NVMe1.3対応SSD｡フォームファクターはM.2（Type 2280）。
  • 「Samsung V-NAND 3bit MLC」と「Samsung Phoenix コントローラ」を採用。従来モデル「970 EVO」よりも最大で53％高速化している。
  • 「Dynamic Thermal Guard」がドライブの動作温度を自動で監視し、最適な温度を維持して、パフォーマンスの低下を最小限に抑える。
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5この手のSSD

この手のSSDを一回でも使うと もう後戻りは出来ません 体感速度が違い過ぎて ぶっちぎり 少し表現がオーバーかも知れないですけど それぐらいには思います。

5安定稼働中

1年半ほど使ってのレビューです。 【読込速度】 速いです。ベンチで測っても公称通りの数字が出ます。 【書込速度】 同様に速いです。 【消費電力】 測っていないので不明です。 【耐久性】 1年半ほど使用していますが、特に問題ありません。温度が上がりやすいという話も目にしましたが、数時間使って40度台くらいなので特に問題なさそうです。 【総評】 M2 SSDでベンチマーク上は速いですが日常使用では違いは実感できません。何より取付が楽、PCケース内で配線がいらないのでスッキリするというメリットが大きいです。

サムスン　970 EVO Plus MZ-V7S2T0B/IT お気に入り登録309970 EVO Plus MZ-V7S2T0B/ITのスペックをもっと見る
970 EVO Plus MZ-V7S2T0B/IT 518位 4.72
(15件)		 36件 2019/5/21  2000GB ¥32 V-NAND 3bit MLC M.2 (Type2280)   1200TBW
【スペック】
タイプ：内蔵　NVMe：○　厚さ：2.38mm　読込速度：3500MB/s　書込速度：3300MB/s　ランダム読込速度：4KBランダム(QD1)読み出し：19,000 IOPS、4KBランダム(QD32)読み出し：620,000 IOPS　ランダム書込速度：4KBランダム(QD1)書き込み：62,000 IOPS、4KBランダム(QD32)書き込み：560,000 IOPS　MTBF(平均故障間隔)：150万時間　DWPD：0.3　
この製品をおすすめするレビュー
5マザーボード交換で読み書き速度倍増

Intel Core i7 10700 装着時のマザーボード ASUS Pro H410M-C/CSMの時から愛用。 Intel Core i7 12700F換装に伴いマザーボードを ASRock H610M-HDV/M.2 R2.0に装着した所 ランダムアクセス読み書きはあまり変わらず シーケンシャルアクセス読み書きは倍増しました。 交換前マザーボードの時はヒートシンク未装着で 高負荷時に50度台前半の温度でしたが 交換後高負荷時に60度台前半の温度に達するように なった為、マザーボードにヒートシンクが無い為 ヒートシンクを装着、通常時40度台後半 高負荷時50度台前半になりました。 【読込速度】ストレス無い 【書込速度】ストレス無い 【発熱】ヒートシンクは装着したほうが良い 【耐久性】ヒートシンク無しでも運用出来てたので耐久性はあると思う 【総評】シーケンシャルアクセス読み書きが半分の頃は 　　　　ヒートシンク無しでも運用出来てたが 　　　　本来の読み書き性能が出る様になった為 　　　　ヒートシンクは装着したほうが良いが 　　　　読み書きは満足出来る性能です。　

5安定しています

【読込速度】 必要十分な速度です 【書込速度】 90%使用した状態でもそれなりの速度です 頻度は高くありませんが連続して細かいファイル(3万以上)の書き込みと削除を行った際エクスプローラーに若干のもたつきが見られました 【消費電力】 あまり気にした事は無いです 【耐久性】 1年と少し使用していますが問題ありません 【総評】 旧リビジョン版でした GPUの真下のスロットに取り付けているためか室温28℃で66℃と高めです 2スロット目に取り付けているCT1000P2は同じ環境下で45℃でした

サムスン　980 MZ-V8V1T0B/IT お気に入り登録487980 MZ-V8V1T0B/ITのスペックをもっと見る
980 MZ-V8V1T0B/IT -位 4.63
(35件)		 48件 2021/3/10  1000GB ¥32 V-NAND 3bit MLC (TLC) M.2 (Type2280) PCI-Express Gen3 600TBW
【スペック】
タイプ：内蔵　NVMe：○　厚さ：2.38mm　読込速度：3500MB/s　書込速度：3000MB/s　ランダム読込速度：ランダム(QD1 Thread1)読み出し：17,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread16)読み出し：500,000 IOPS　ランダム書込速度：ランダム(QD1 Thread1)書き込み：54,000 IOPS、ランダム(QD32 Thread16)書き込み：480,000 IOPS　MTBF(平均故障間隔)：150万時間　DWPD：0.32　
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5こんなもんですかね?

2025.4月新古品をYフリマで7900円でゲット 【読込速度】 good 【書込速度】 good 【消費電力】 ? 【耐久性】 ? 【総評】 満足してます＾＾

5TS-453DのSSDキャッシュ用として2枚導入。

【読込速度】 SSDキャッシュ用のインターフェイスカードがPCIe Gen2.0X4ですが。 NAS本体の差し込み側がPCIe Gen2.0X2とさらに遅いので 最大で1000MB/s位なので完全オーバースペックだと思いますが。 980がSamsungではエントリーなので選択肢としては 良かったのだと思います。 【書込速度】 同じく書き込みもSSDキャッシュ用のインターフェイスカードが PCIe Gen2.0X4ですが。NAS本体の差し込み側がPCIe Gen2.0X2 さらに遅いので最大で1000MB/s位なので完全オーバースペックだと 思いますが。980がSamsungではエントリーなので選択肢としては 良かったのだと思います。 【消費電力】 読み出しが4.5W、書き込みが4.6W、待機時45mwと普通に省電力です。 【耐久性】 買って間もないので耐久性は無評価とさせて頂きます。 【総評】 最大でも1000MB/s位なのでエントリーで DRAMレスでも良いと思ったので、以前導入した980PROが 安定していたのと9/30頃にツクモの週末セールで1枚7980円 だったのでコスパでも今回もSamsung980の1TBを選択しました。 NASのSSDキャッシュ用には十分すぎる性能です。

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