850 EVO MZ-75E500B/IT スペック・仕様・特長

スペック

• 容量: 500 GB
• 規格サイズ: 2.5インチ
• フラッシュメモリタイプ: 3D V-NAND
• タイプ: 内蔵
• 厚さ: 6.8 mm
• 1GBあたりの価格: -

パフォーマンス

• 読込速度: 540 MB/s
• 書込速度: 520 MB/s
• ランダム読込速度: 4KBランダム(QD1)読み出し：10,000 IOPS; 4KBランダム(QD32)読み出し：98,000 IOPS
• ランダム書込速度: 4KBランダム(QD1)書き込み：40,000 IOPS; 4KBランダム(QD32)書き込み：90,000 IOPS

耐久性

• MTBF(平均故障間隔): 150万時間

新製品ニュース　サムスン、3D V-NANDとターボライトで高速化したSSD「850 EVO」

2014年12月12日　18:51掲載

ITGマーケティングは、日本サムスン製の2.5インチSSD「Samsung SSD 850 EVO」シリーズの取り扱いを開始。120GB/250GB/500GB/1TBモデルを12月中旬より順次発売する。

メモリセルの構造を立体化させた「Samsung 3D V-NAND」と、高速化機能「ターボライトテクノロジー」を搭載した2.5インチSSD。ランダム書き込みのパフォーマンスを、「840 EVO」の120GBモデルと「850 EVO」の120GBモデルを比較した場合、最大2.4倍向上させている。

また、高速化機能として「エンハンスドRAPID モード」を搭載。パソコン内メインメモリーの空き容量をキャッシュとして利用することで、ストレージ性能を大幅に向上することが可能。「Samsung Magician Software」の最新バージョン4.5で最適化されており、パソコン内メインメモリーの最大25％までキャッシュとして利用することで、ランダム性能において2倍の高速化を実現した。

さらに、「Samsung 3D V-NAND」の採用により、耐久性・信頼性が大幅に向上。5年間の保証期間に加え、総書き込みバイト量は、120GB/250GBモデルが75TB、500GB/1TBモデルが150TBを保証している。

主な共通の仕様は、シーケンシャル読み出しが540MB/s、書き込みが520MB/s、4KBランダム（QD1）の読み出しが10000 IOPS、書き込みが40000 IOPS。

120GBモデルの仕様は、キャッシュメモリーが256MB、4KBランダム（QD32）の読み出しが94000 IOPS、書き込みが88000 IOPS。

250GBモデルの仕様は、キャッシュメモリーが512MB、4KBランダム（QD32）の読み出しが97000 IOPS、書き込みが88000 IOPS。

500GBモデルの仕様は、キャッシュメモリーが512MB、4KBランダム（QD32）の読み出しが98000 IOPS、書き込みが90000 IOPS。

1TBモデルの仕様は、キャッシュメモリーが1GB、4KBランダム（QD32）の読み出しが98000 IOPS、書き込みが90000 IOPS。

このほか、SSDコントローラーには、120GB/250GB/500GBモデルが「Samsung MGX コントローラ」を、1TBモデルが「Samsung MEX コントローラ」を搭載。厚さは7mmサイズを採用。デバイススリープモード（DEVSLP）をサポートし、待機時消費電力50mWを実現。ハードウェア制御によるAES 256bitの暗号化に対応する。

市場想定価格は、120GBモデルが14,000円、250GBモデルが19,000円、500GBモデルが36,000円、1TBモデルモデルが67,000円。