2019年 1月17日 登録
TS1TMTE110S
- 容量1TB、PCI Express Gen3 ×4インターフェイスを採用し、NVMe規格に対応したM.2 SSD。
- PCIe Gen3 ×4インターフェイスを採用し、4レーンで同時にデータの送信と受信を行うので、最大1700MB/sの読み出しと1500MB/sの書き込みが可能。
- 3D NANDを採用し、すぐれたパフォーマンスと耐久性を提供。RAIDエンジンと強力なECCアルゴリズムのLDPC符号でデータを保護する。
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容量：1000GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen3 フラッシュメモリタイプ：3D NAND 読込速度：1700MB/s 書込速度：1500MB/s
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TS1TMTE110S のスペック・仕様・特長
- 容量1TB、PCI Express Gen3 ×4インターフェイスを採用し、NVMe規格に対応したM.2 SSD。
- PCIe Gen3 ×4インターフェイスを採用し、4レーンで同時にデータの送信と受信を行うので、最大1700MB/sの読み出しと1500MB/sの書き込みが可能。
- 3D NANDを採用し、すぐれたパフォーマンスと耐久性を提供。RAIDエンジンと強力なECCアルゴリズムのLDPC符号でデータを保護する。
| スペック | |||
|---|---|---|---|
| 容量 | 1000 GB | 規格サイズ  | M.2 (Type2280) |
| インターフェイス | PCI-Express Gen3 | フラッシュメモリタイプ | 3D NAND |
| タイプ | 内蔵 | NVMe | ○ |
| 厚さ | 3.58 mm | テレビ録画対応 | |
| PS5対応 | 1GBあたりの価格 | - | |
| パフォーマンス | |||
| 読込速度 | 1700 MB/s | 書込速度 | 1500 MB/s |
| ランダム読込速度 | ランダム書込速度 | ||
| 耐久性 | |||
| MTBF(平均故障間隔) | TBW | 400 TBW | |
| DWPD | 0.2(5年) | ||
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