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容量：2000GB 規格サイズ：M.2 (Type2280) インターフェイス：PCI-Express Gen4 フラッシュメモリタイプ：V-NAND 読込速度：7250MB/s 書込速度：6450MB/s
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990 MZ-V9V2T0B-IT のスペック・仕様・特長
| スペック | |||
|---|---|---|---|
| 容量 | 2000 GB | 規格サイズ  | M.2 (Type2280) |
| インターフェイス | PCI-Express Gen4 | フラッシュメモリタイプ | V-NAND |
| タイプ | 内蔵 | NVMe | ○ |
| 厚さ | 2.38 mm | テレビ録画対応 | |
| PS5対応 | 1GBあたりの価格 | - | |
| パフォーマンス | |||
| 読込速度 | 7250 MB/s | 書込速度 | 6450 MB/s |
| ランダム読込速度 | ランダム読み出し：850,000 IOPS | ランダム書込速度 | ランダム書き込み：1,200,000 IOPS |
| 耐久性 | |||
| MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 | TBW | 800 TBW |
| DWPD | 0.36 | ||
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ITGマーケティングは、サムスン製のM.2 SSD「Samsung 990 SSD」の取り扱いを開始。容量は1TB/2TBモデルを用意し、7月下旬に発売する。
接続規格にPCI Express Gen 4.0 x4（NVMe 2.0）を採用した、M.2 2280フォームファクター対応の内蔵SSD。同社製コントローラーおよびSamsung V-NANDを搭載し、従来の「990 PRO」と比較してワットあたりの性能を最大38％向上させており、すぐれた電力効率を実現している。
データ転送速度は、1TBモデルがシーケンシャル読み出し最大7150MB/s、ランダム読み出し最大700000 IOPS、ランダム書き込み最大1100000 IOPS、2TBモデルがシーケンシャル読み出し最大7250MB/s、ランダム読み出し最大850000 IOPS、ランダム書き込み最大1200000 IOPSとなる。
シーケンシャル書き込みは、両モデルとも最大6450MB/s。キャッシュメモリーはHMB（Host Memory Buffer）に対応する。
書き込み寿命を示すTBWは、1TBモデルが400TB、2TBモデルが800TB。平均故障間隔（MTBF）は150万時間となっている。
市場想定価格は、1TBモデルが40,980円前後、2TBモデルが80,980円前後。
- 価格.com 新製品ニュース
サムスン、電力効率を最大38％向上させたM.2 SSD「Samsung 990 SSD」2026年7月15日 8:33掲載
